In this paper, Ni-SALICIDE process has been investigated intensively for the application to deep sub-micron COMS devices.
本论文对适用于深亚微米CMOS器件的镍自对准硅化物工艺进行了深入的研究。
oxide aligned transistor technology
氧化物对准晶体管工艺
samnos transistor
自对准金属氮化物氧化物半导体晶体管
double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
Research on Preparation and Technics of ZnO Thin Film Field Effect Transistors
氧化锌薄膜场效应晶体管的制备及工艺研究
Study on Preparation of Anisaldehyde and Solid Glyoxylic Acid by Ozonolysis Process;
臭氧氧化法制备对甲氧基苯甲醛和晶体型乙醛酸的工艺研究
mnos transistor
金属氮化物氧化物半导体晶体管
metal oxide semiconductor transistor
金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管
MOST (Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)
金属-氧化物半导体晶体管
floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
pmos transistor
p 沟道金属氧化物半导体晶体管
high voltage most
高压金属氧化物半导体晶体管
vertical mos transistor
垂直型金属氧化物半导体晶体管
mos insulated gate transistor
绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
MOSFET (metallic oxide semiconductor field effecttransistor)
金属氧化物半导体场效应晶体管
read-write MOSFET
读写金属氧化物半导体场效应晶体管
v groove mos transistor
v 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
double diffused mos transistor
双扩散金属氧化物半导体晶体管
grooved gate mos transistor
v 型栅金属氧化物半导体晶体管