This paper introduces the study of insertion device s influence on be.
介绍了用能保证哈密顿系统“辛”性质的Lie映射方法来研究电子储存环中的插入元件对束流动力学的影响 。
Copyright © mingxiaow.com All Rights Reserved. 杭州优配网络科技有限公司 版权所有 未经书面允许不得转载、复制信息内容、建立镜像
本网站内容仅供参考，请以各学校实际情况为主！内容侵权或错误投诉：841539661@qq.com 工信部备案号：浙ICP备20019715号
