The micro - actuators are fabricated by use of DRIE on SOI wafer.
本文中的微执行器采用深层反应离子刻蚀(DRIE)技术在硅隔离衬底(SOI)硅片上制作.
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The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching ( DRIE ) process was investigated.
给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深 反应离子刻蚀 过程中的过刻蚀现象的方法.
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